前段時間，小編向大家介紹了和三星在提升晶片製造工藝、擴大先進晶片產能方面的訊息，總的來說，形勢非常嚴峻。
主要原因是技術上遇到嚴重瓶頸，良品率低，成本高，以至於這兩家廠商新建的晶片工廠陷入兩難，進退維谷。如果這部分晶片工廠繼續生產運營，那麼只會嚴重虧本，如果關閉工廠，那麼意味著之前的各種建設投入（還有各地給予的補貼）打了水漂。
對這方面內容感興趣的朋友，請在小編主頁上搜索閱讀《家家有本難唸的經，、英特爾晶片擴張戰略遭遇嚴重挫折》和《聯吳抗曹！傳英特爾有意與三星合作，共同組建“晶片代工聯盟”》等文章，請參閱圖一和圖二。
不過，本文的主題並不是英特爾和三星，而是臺積電，在英特爾和三星晶片推進發展規劃遭遇瓶頸的情況下，臺積電未來數年的發展規劃非常值得關注。近日，臺積電在荷蘭阿姆斯特丹舉行的2024年開放創新平臺會議上透露了部分相關資訊（請參閱下圖），可供參考。
臺積電表示，該公司未來數年內的總體規劃基本保持不變，具體而言，將從2025年底開始採用N2工藝（2 奈米級）和N3P和N3X工藝量產晶片，2026年底採用A16工藝（1.6奈米級）量產晶片。
需要強調、指出的是：這個發展規劃並不是臺積電近期才制定、公佈的，至少在6個月前就已經制定。這說明，臺積電在推進提升先進晶片製造工藝方面的進度比較順利，所以才沒有推遲，仍按原計劃進行。
短期內最值得關注的是N2工藝，據悉，臺積電還會推出若干個基於N2工藝的小幅改進版，比如N2P和N2X等，至於這些工藝將於什麼時候用於量產晶片，目前還沒有確切訊息，預計也在2026年內。
雖然看起來工藝型號非常繁多，但是從本質上來看，N2工藝、N2P工藝、N2X工藝和A16工藝有很多共同之處。它們都採用奈米片全環繞柵極 （GAA） 電晶體。N2系列工藝使用超高效能金屬絕緣體金屬電容器來降低電晶體通孔電阻以提高效能效率，而A16工藝使用背面供電網路技術進行了進一步改進。
總的來說，相比競爭對手英特爾和三星，臺積電在擴大先進晶片產能方面總體比較順利，沒有遇到重大技術瓶頸，可謂一枝獨秀、風景這邊獨好。另外一方面，也意味著英特爾和三星所面臨的競爭壓力會越來越大。
綜上所述，對於廣大普通消費者來說，未來數年內晶片的效能和綜合體驗仍將不斷提升，完全無需擔心技術推進存在瓶頸的問題，唯一需要擔心的是預算，未來相關產品的價格可能會越來越高。
