新 聞1： 三星第二代3nm工藝良品率僅20%，不足以實現大規模生產
三星在2022年6月，宣佈其位於韓國的華城工廠開始生產3nm晶片。三星成為了全球唯一一家提供採用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構電晶體技術，提供3nm工藝代工服務的代工企業。不過時間來到了2024年，三星仍一直被良品率所困擾。根據三星的安排，很快會帶來第二代3nm工藝，但情況同樣不容樂觀。
據Notebookcheck 報道 ，雖然三星在努力提高第二代3nm工藝的良品率，但是一直維持在20%左右，不足以實現大規模生產。三星原打算在Exynos 2500採用第二代3nm工藝，用於明年釋出的Galaxy S25系列智慧手機。不過受困於良品率問題，即便之前搭載新款SoC的Galaxy S25機型已出現在Geekbench基準測試，最後大機率也不會到來。
有報告指出，三星晶圓代工當前形勢嚴峻，在良品率上做了許多努力，可收效甚微。另一方面，三星第一代3nm工藝，也就是3nm GAA的表現稍好，能提升至60%的水平，可是已經沒有晶片設計公司在意了，大客戶基本沒有興趣。
最近有 報道 稱，三星計劃縮減晶圓代工規模，年底前將關閉大概50%的生產線，以應對來自美國和中國晶片公司的訂單量減少。有知情人士透露，三星已經關閉了平澤P2和P3工廠的部分生產線，包括4nm、5nm和7nm生產線的30%以上。
原文連結：https://www.expreview.com/96693.
三星的3nm趕超都喊了好多年了，但是等三星真正步入3nm節點的時候，卻發現問題遠沒有那麼簡單……如今，臺積電的2nm都快要量產了，三星的3nm卻僅有20%的良率，遠遠達不到量產的程度。考慮到此前三星已經終止了美國工廠的生產準備，或許三星代工業務的情況還要惡化。
新 聞 2： 訊息稱三星電子半導體業務危機蔓延至人才領域，大批員工考慮跳槽
韓媒 The Elec 當地時間昨日報道稱，在三星電子負責半導體業務的裝置解決方案（DS）部面臨先進製程競爭力不強、HBM 記憶體向大客戶交付遲緩兩大危機的背景下，大批 DS 部門員工紛紛考慮跳槽至競爭對手 SK 海力士或是韓國政府研究機構。
報道稱，SK 海力士近日招聘三名經驗豐富的蝕刻工藝工程師，結果收到了三星電子內部大多數符合這一條件的員工的申請，總數達近 200 名。這一申請規模與比例遠超此前預估，導致本應僅在人事部門內交流的招聘情況在 SK 海力士整個高層中引發持續討論，甚至洩露到企業外部。
不僅是資深半導體人才，資歷尚淺的三星電子員工也積極考慮換家公司上班的可能。SK 海力士內部擁有一個專項招募職場資歷較淺員工的“Junior Talent”系統，近期該系統放寬了對應聘者的限制，結果三星電子出身員工的申請數量大幅增加。三星內部有人就此抱怨道：“這下成我們替他人培養員工了”
除直接轉投競爭對手外，加入韓國政府旗下專門研究機構也是三星半導體專家的可能去向。KETI（IT之家注：韓國電子技術研究院，Korea Electronics Technology Institute）此前為旗下半導體封裝研究中心招聘員工，最終的 8 位新員工均來自三星電子；KETI 近期放出的 3 個半導體研究崗，吸引了 50 位博士級三星員工應聘。
▲ 三星電子水原總部建築
韓媒在報道中表示，三星電子儲存器業務部總負責人李禎培在上週的部門會議中回答公司是否有吸引優秀人才、防止人才流失的策略時表示：“希望大家努力工作，也要關注想要離開的人才。”
一位前三星半導體員工透露，三星電子以往擁有業界領先的薪酬水平，但現在的情況是加上績效獎金才略微高於競爭對手；且由於業務困局，許多三星內部員工正為跳槽的可能蒐集資訊。
原文連結：https://m.ithome.com//804126.htm
除了生產的上問題，三星代工業務的惡化情況已經開始動搖其“根基”了。如果說裝置、工藝是三星代工行業的“驅動力”，那人才就是真正的“動力源”，而隨著情況的惡化，三星似乎已經留不住，也養不起這些半導體制程方面的高階人才了。這樣的情況，看樣子三星就算有新的機會，也很難抓得住了吧。
新 聞3： 臺積電稱2nm工藝有重大改進，GAA電晶體將提高SRAM密度
去年有 報道 稱，SRAM單元在臺積電3nm製程節點上，與5nm製程節點基本沒有分別。這一訊息也印證了過去的 傳言 ，即臺積電（TSMC）在3nm製程節點遇到SRAM單元縮減放緩的問題，採用N3B和N5工藝的SRAM位單元大小分別為0.0199μm²和0.021μm²，僅縮小了約5%，而N3E工藝更糟糕，基本維持在0.021μm²，這意味著幾乎沒有縮減。
據TomsHardware 報道 ，隨著新一代2nm製程節點的到來，SRAM單元縮減問題似乎看到了曙光。與3nm製程節點不同，臺積電在2nm製程節點將引入GAA電晶體架構，有望顯著降低功耗，提高效能和電晶體密度，帶來質的改變。臺積電將在今年12月的IEDM會議上發表的一篇論文，提到了2nm製程節點將HD SRAM位單元尺寸縮小到約0.0175μm²。
這將是一個重大的突破，近年來SRAM單元的擴充套件已經變得相當困難，而透過N2工藝，臺積電最終縮減了HD SRAM位單元尺寸，從而提高了SRAM密度。按照目前的情況來看，GAA電晶體架構似乎是HD SRAM位單元尺寸縮小的主要推動力。
要知道現代的CPU、GPU和SoC設計都非常依賴於SRAM密度，需要大容量快取來有效地提升處理大批次資料的能力。從記憶體訪問資料既消耗效能又耗電，因此充足的SRAM對於最佳化效能至關重要。展望未來，對快取記憶體和SRAM的需求將持續增長，因此臺積電在SRAM單元尺寸方面的成就顯得非常重要。
原文連結：https://www.expreview.com/96646.
比自己的困境更令人南蚌的，就是對手的愈發強大了。最新訊息指出臺積電進一步最佳化2nm工藝，其GAA電晶體將大幅提高SRAM密度，這對晶片效能的影響是非常直觀地。臺積電的愈發強大，三星及Intel的處境會越來越差，此前還有訊息稱二者正在尋求機會聯手，但現在的情況似乎聯手也難以逆轉啊。
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