長鑫儲存與長江儲存重重障礙中加強研發工作

為了規避美國對中國晶片製造商實施的制裁，中國領先的 DRAM 和 NAND 快閃記憶體供應商長鑫儲存（CXMT）和長江儲存（YMTC）分別採取了大膽的舉措，在美國出口限制的情況下采取了不同的戰略來加快發展。

DigiTimes 的訊息來源指出，長鑫儲存已開始在其位於合肥的新工廠量產 18.5 奈米工藝的 DRAM 晶片。透過略微超過美國 18 奈米的限制，旨在提高產能，同時在技術上遵守美國商務部的規定。

合肥工廠一期工程已接近滿負荷運轉，月產量達到 100,00 片晶圓。即將進行的二期擴建將在 2024 年底前每月增加 40000 片晶圓，這將使長鑫儲存的 DRAM 總產能達到全球規模的 10%。此外，長鑫還計劃為新的擴產大幅增加國內採購。

相比之下，長江儲存在被列入美國實體名單後，其產能增長面臨全面限制。由於關鍵裝置的進口現已停止，建立材料和工具的本地供應鏈已被證明具有挑戰性。儘管研發取得了進展，包括NAND快閃記憶體超過300層，但長江儲存還是推出了120層的新產品，有意低於美國的128層限制。然而，即使是這些符合標準的晶片，也要等待美國批准才能進行更大規模的生產。

展望未來，雖然長鑫已經開闢了一條繞過美國限制的可行之路，但長江儲存的產能計劃卻面臨著持續的障礙。儘管如此，透過堅定的研發努力，包括 232 層和未來的 300 多層 NAND，長江儲存的目標是克服外部不利因素，推動中國半導體能力向前發展。