IT之家 2 月 5 日訊息，據報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態電路峰會上推出多款尖端記憶體產品。
除了之前公佈的 GDDR7 記憶體（將在高密度記憶體和介面會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將釋出一款超高速 DDR5 記憶體晶片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 採用 12 奈米 (nm) 級工藝技術開發，在相同封裝尺寸下提供兩倍於 16Gb DDR5 DRAM 的容量。
雖然三星沒有提供太多關於將在峰會上釋出的 DDR5 晶片的資訊，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引腳 8000Mbps，並且採用三星第五代 10nm 級晶圓代工節點的 Symmetric-Mosaic 架構設計，專門針對 DRAM 產品量身定製。
IT之家注意到，三星電子記憶體產品和技術執行副總裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣佈新 DDR5 產品時表示：“憑藉我們的 12nm 級 32Gb DRAM，我們已經獲得了一種解決方案，可以實現高達 1TB (TB) 的 DRAM 模組，使我們能夠理想地滿足人工智慧 (AI) 和大資料時代對高容量 DRAM 的日益增長的需求。我們將繼續透過差異化的工藝和設計技術開發 DRAM 解決方案，突破記憶體技術的極限。”
之前使用 16Gb DRAM 製造的 DDR5 128GB DRAM 模組需要矽通孔 (TSV) 工藝。然而，新的 32Gb DRAM 允許在不使用 TSV 工藝的情況下生產 128GB 模組，三星表示這將使功耗降低約 10%。對於目前正在與人工智慧不斷增長的能源需求作鬥爭的資料中心來說，這是一個受歡迎的解決方案。
三星最新的 DDR5 技術允許在單通道配置下以 DDR5-8000 速度建立 32 GB 和 48 GB DIMM，還支援雙通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。
