臺積電不用新一代EUV光刻機！2023年的1nm再說

快科技2月8日訊息，Intel已於日前接受了ASML的第一臺新一代高NA EUV光刻機，但是臺積電一直不為所動，可能要到1nm工藝時代才會跟進。

Intel計劃將高NA EUV光刻機用於Intel 18A後的製程節點，也就是超過1.8nm，時間大概在2026-2027年。

Intel此前公佈的路線圖上，18A之後已經安排了三個新的製程節點，但尚未具體命名。

基辛格透露其中一個相當於1.5nm工藝，預計命名為15A，將在德國工廠量產。

臺積電對於高NA EUV光刻機引入計劃則一直守口如瓶，有多個訊息來源稱臺積電還在觀望評估，目前計劃要等到1nm工藝節點才會上馬，而時間要等到2030年左右了。

臺積電目前正在衝刺2nm工藝，預計2025-2027年間量產，單晶片可整合超過1000億個電晶體，單個封裝可超5000億個。

然後是1.4nm、1nm，其中後者計劃2030年左右量產，將在單顆晶片內整合超過2000億個電晶體，單個封裝內則超過1萬億個，相比N2工藝翻一倍。

有趣的是，Intel也計劃在2030年做到單個封裝1萬億個電晶體，可謂針鋒相對。