IT之家 11 月 4 日訊息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 記憶體。該產品可實現 48GB 的單堆疊容量，預計明年初出樣。
雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 記憶體直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考記憶體領域 IP 企業 Rambus 的文章，HBM3E 也有擴充套件到 16 層的潛力。
此外IT之家注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學術會議準備的論文中也提到了可實現 1280GB/s 頻寬的 48GB 16-High HBM3E DRAM，本次推出的產品很可能就是該論文對應的研發成果。
SK 海力士表示其 16-High HBM3E 的 AI 訓練效能較上代 12-High 產品提高了 18%，推理效能更是提升了 32%；這款 HBM 記憶體仍採用先進 MR-MUF（批量回流模製底部填充）鍵合技術，SK 海力士也在開發效能更為優秀的混合鍵合。
在 DRAM 記憶體領域，SK 海力士表示除 16-High HBM3E 外還正在開發基於 1c nm LPDDR5 和 LPDDR6 的 LPCAMM2，這些記憶體條同時面向 PC 和資料中心市場。
而在 NAND 快閃記憶體領域，該企業還準備了 PCIe 6.0 固態硬碟、基於 QLC 的大容量企業級固態硬碟和下代 UFS 5.0 快閃記憶體。
