多家媒體報道指臺積電將從今天起停止以7奈米及以下工藝為中國AI晶片代工，至於手機晶片是否能代工還尚未決定，但是在美國的壓力下並不樂觀，值得注意的是不僅臺積電，也被要求停止以7奈米及以下工藝為中國晶片代工。
目前國產的AI晶片大部分都交給臺積電以7奈米工藝生產，手機晶片有部分交給臺積電以6奈米工藝生產，中國晶片為臺積電貢獻的收入佔比達到一成左右。
此番臺積電受壓，它本意是停止以7奈米及以下工藝為中國晶片代工，但是有訊息指出美國方面要求臺積電停止以7奈米及以下工藝為中國所有晶片提供代工服務，要求嚴格許多，不過由於美國總統還處於交接期，該更嚴格的限制未知會否立即實施。
全球能提供7奈米及以下工藝的還有三星，不過三星此前為中國晶片提供代工服務相當有限，而且三星向來唯美國馬首是瞻，自然美國的要求，三星會迅速跟進，而三星在晶片代工方面其實並不好過，它在5奈米及以下工藝幾乎失去了所有客戶，導致它在晶片代工市場的份額從兩成左右暴跌至13%.
美國此舉固然短時間內會對中國晶片造成巨大打擊，但是中國晶片並非找不到替代方案，而且這還可能會加速中國晶片在製造工藝方面的發展，增強中國晶片產業鏈的實力。
在晶片製造方面，中國最大的晶片製造企業已可大規模生產14奈米及以上工藝，N+1工藝則已實現量產，業界人士推測N+1工藝應該接近臺積電的第一代7奈米工藝了，臺積電的第一代7奈米工藝沒有采用EUV光刻機生產。
中國晶片的N+1工藝採用DUV光刻機生產，以多重曝光技術實現，這也導致這項工藝的生產良率偏低、生產成本偏高，在效能方面稍微不如臺積電的7奈米EUV工藝，這是導致中國AI晶片大多交給臺積電以7奈米工藝生產的原因。
如今臺積電斷供7奈米及以下工藝，中國的AI晶片只能將晶片交給國內晶片代工企業，讓國內晶片代工企業獲得巨量的收入，如此將可以加速N+1工藝的良率提升，同時有了更多收入可以加快研發5奈米工藝。
此外，提升晶片效能的辦法還有晶片堆疊、小晶片技術等等，只不過這類技術對於手機晶片這類對功耗控制要求較高的晶片不太適用，而對於AI晶片、PC處理器、伺服器晶片等等對功耗要求沒那麼嚴格的晶片種類完全可行，如此國產晶片工藝加上這類技術可以滿足大部分需求。
美國的這一要求已對全球晶片行業造成不小的打擊，光刻機企業ASML就因此大跌，凸顯出全球晶片行業擔憂美國的做法可能導致這些晶片裝置和材料企業的收入進一步下降，畢竟中國是全球最大的市場。
中國晶片市場的收入將更多流入國內晶片行業，事實此前美國的連番舉措就促使中國加速發展國產晶片產業鏈，近幾年來國產晶片裝置和材料企業的營收都高速增長，在獲得了更多收入的情況下，中國晶片產業鏈得以加速完善，國內的晶片製造企業儘可能採用國產晶片裝置，中國最大的晶片裝置企業已成為全球第六大晶片裝置企業，讓美國、日本和荷蘭的同行擔憂。
