寧波芯健申請多結構凸點晶圓級封裝專利，具有在晶圓級封裝的積體電路晶圓上形成多種結構的電極凸點的效果

金融界2024年12月5日訊息，國家智慧財產權局資訊顯示，寧波芯健半導體有限公司申請一項名為“多結構凸點的晶圓級封裝方法、系統、終端及儲存介質”的專利，公開號CN 119069369 A，申請日期為2024年11月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種多結構凸點的晶圓級封裝方法、系統、智慧終端及儲存介質，涉及晶片封裝技術領域，其方法包括：在積體電路晶圓的介電層上濺射形成TiCu層；在TiCu層上方塗覆第一厚度的第一光刻膠層，第一厚度與第一凸點的高度匹配；在第一光刻膠層上形成第一凸點的圖形；在積體電路晶圓上形成第一凸點；去除第一光刻膠層；在TiCu層上方塗覆第二厚度的第二光刻膠層，第二凸點的結構與第一凸點的結構不同；在第二光刻膠層上形成第二凸點的圖形；在積體電路晶圓上形成第二凸點；去除第二光刻膠層和TiCu層，露出第一凸點和第二凸點；對積體電路晶圓進行迴流，得到封裝後的積體電路晶圓。本申請具有在晶圓級封裝的積體電路晶圓上形成多種結構的電極凸點的效果。

本文源自：金融界

作者：情報員