訊息稱記憶體原廠考慮 HBM4 採用無助焊劑鍵合，進一步降低層間間隙

IT之家 11 月 14 日訊息，據韓媒 ETNews 報道，三星電子、SK 海力士、美光均對在下代 HBM4 記憶體中採用無助焊劑鍵合（Fluxless Bonding）技術抱有興趣，正在進行技術準備。

SK 海力士此前已宣佈了 16 層堆疊 HBM3E，而從整體來看 HBM 記憶體將於 HBM4 開始正式轉向 16 層堆疊。由於無凸塊的混合鍵合技術尚不成熟，傳統有凸塊方案預計仍將是 HBM4 16Hi 的主流鍵合技術。

更多的 DRAM Die 層數意味著 HBM4 16Hi 需要進一步地壓縮層間間隙，以保證整體堆疊高度維持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制內。

在這一背景下，三大記憶體原廠均注意到了現有 HBM 鍵合工藝使用的助焊劑：助焊劑可清理 DRAM Die 表面的氧化層，保證鍵合過程中機械和電氣連線不會受到氧化層影響；但助焊劑的殘餘也會擴大各 Die 之間的間隙，提升整體堆疊高度。

訊息人士表示，三大 HBM 記憶體原廠對無助焊劑鍵合的準備程度不同：美光在與合作伙伴測試工藝方面最為積極、SK 海力士考慮匯入、三星電子也對此密切關注。