2月5日訊息，據《日經亞洲評論》的報導，中國DRAM大廠長鑫儲存（CXMT）正在採購必要的裝置，計劃生產高頻寬記憶體（HBM）。據悉，現階段長鑫儲存已經獲得了用於HBM組裝和測試的裝置。
報道稱，長鑫已經在向美國、日本的供應商下單採購製造、組裝、測試HBM記憶體的必要裝置。這說明，相關開發設計工作已經完成，可以轉入投產階段。
訊息人士稱，早在2023年中，Applied Materials、Lam Research等美國裝置供應商就獲得了美國政府的許可，可以向長鑫出口HBM製造裝置。
隨著生成式AI的快速發展，對於高頻寬記憶體（HBM）的需求也是急劇上升。、SK海力士和美光是目前HBM市場僅有的三大供應商，他們目前都在開發新產品，特別是HBM4等下一代技術受到了業界的極大關注，其中SK海力士已宣佈經在2026年開始生產HBM4產品，搶攻未來市場的主導地位。
目前市場上，主流的HBM3是透過8層或12層垂直堆疊來完成，透過矽通孔（TSV）來連線，然後放在一個基本邏輯晶片上，採用1024位的介面連線。雖然看起來很簡單，但實際上並非如此，而且製造HBM高頻寬記憶體是一項複雜的任務。其生產的裝置與傳統記憶體的裝置有著根本的不同，而且生產過程中要進行相關測試，然後封裝，最後再測試整個堆疊。整個過程中需要大量的工具和專業知識，但HBM產品在頻寬和效能方面優於市面上其他所有型別的記憶體。
目前，長鑫儲存已經在合肥附近運營著一座DRAM晶圓廠，當前正在籌集資金建造第二座晶圓廠，將匯入更先進的製程技術，用於製造和封裝HBM高頻寬記憶體。此外，長鑫儲存尚未開發自己的HBM生產和封裝技術，也還不清楚是哪型別的HBM，因此預計未來一到兩年內還不能看到相關的產品。
編輯：芯智訊-林子
