據韓媒報道，由於客戶對先進儲存器的需求，SK海力士打算改變原來的計劃，以3nm取代5nm，採用更先進的工藝生產HBM4基礎裸片，預計HBM4將在2025年下半年開始供貨。這一舉措旨在提升AI半導體的執行效率，並支援客戶定製電路，從而進一步增強HBM4記憶體的效能和功能。
訊息稱，SK海力士標準款HBM4將繼續採用N12FFC+基礎裸片，而定製產品則從5nm升級至3nm，基礎裸片有望提升20%~30%的效能。這種工藝選擇使得SK海力士能夠根據不同客戶的需求提供定製化的解決方案。
值得一提的是，SK海力士在HBM4上對基礎裸片的稱呼已經從DRAM Base Die調整為Logic Base Die，這意味著HBM4時代的基礎裸片將全面轉向邏輯半導體工藝，並支援客戶定製電路，從而提升了整體系統的執行效率。
SK 海力士將在 2025 年下半年為主要客戶生產採用臺積電 3nm 工藝的第六代高頻寬儲存 (HBM4) 晶片。有訊息人士稱，SK 海力士將與臺積電合作，最早於明年 3 月釋出採用臺積電 3nm 工藝製造的垂直堆疊 HBM4 晶片原型。NVIDIA 將是這批晶片的主要客戶。基片是指多層半導體封裝中的基礎層，特別是在 HBM 等高階儲存晶片中。報道補充道，與採用 5nm 基片的 HBM4 相比，在 3nm 基片上堆疊 HBM 預計可將效能提高 20-30%
